薄膜集成电路

薄膜集成电路是整个电路的晶体管，二极管，电阻器，电容器，电感器等以及它们之间的互连引线，所有这些都与金属，半导体，金属氧化物混合，多个金属层的厚度为1μm或更小。

一种由合金或介电薄膜制成并通过真空蒸发，溅射和电镀处理的集成电路。

薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料配置：薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，以及薄膜热电子放大器。

更实用的薄膜集成电路采用混合工艺，其中薄膜技术用于制造玻璃，玻璃陶瓷，釉面和抛光氧化铝陶瓷基板上的无源元件和电路元件之间的连接，然后是集成电路，芯片诸如晶体管和二极管之类的有源器件，以及不使用薄膜工艺制造的功率电阻器，大容量电容器和电感器可以通过热压接合，超声波焊接，光束引导或凸块翻转焊接来组装。

进入一个完整的集成电路。

通过诸如蒸发，溅射，电镀等的薄膜工艺在同一衬底上制造无源网络，并组装分立的微元件，器件和封装的混合集成电路。

安装的分立微元件和器件可以是微元件，半导体芯片或单片集成电路。

薄膜集成电路有多种基板，最常见的是玻璃基板，其次是玻璃陶瓷和釉面陶瓷基板，有时还有蓝宝石和单晶硅基板。

为了实现紧密组装和自动化生产，通常使用标准基板。

存在各种用于在基板上形成膜的方法。

薄膜网络通常用于物理气相沉积（PVD）工艺，有时使用阳极氧化或电镀。

在物理气相沉积方法中，最常用的是蒸发过程和溅射过程。

这两种方法都在真空室中进行，因此将它们统称为真空成膜方法。

在这两种方式中，可以制造无源网络中的无源元件，互连，绝缘膜和保护膜。

阳极氧化方法可以形成介电膜并且可以调节电阻膜的电阻。

在分布参数微波混合集成电路的制造中，通过电镀增加薄膜微带线的厚度以降低功耗。

根据无源网络中元件参数的集中和分布，薄膜集成电路分为两种：集中参数和分布参数。

前者适用于低频到微波频段，后者仅适用于微波频段。

该薄膜集成电路具有参数范围广，精度高，温度和频率特性好的特点，可以工作在毫米波段。

并且集成度更高，尺寸更小。

但是，所使用的工艺设备相对昂贵且生产成本高。

薄膜集成电路适用于各种电路，尤其是需要高精度和良好稳定性的模拟电路。

它比其他集成电路更适合微波电路。